特許
J-GLOBAL ID：200903037641701471
薄膜半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308006
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144811
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 CuもしくはCuを主成分とする合金からなる配線を有する半導体装置おいて、 配線を酸化させること無く絶縁膜を形成することにより膜応力による配線の膜剥がれ、 ストレスマイグレ- ションによる断線等の問題を解決する。【構成】 Si基板4の表面に形成した熱酸化膜SiO2膜5上にCuもしくはCuを主成分とする合金からなる配線層1を形成し、さらに、配線層1 側より非酸化物層2からなる絶縁膜、 その上にこれより厚い酸化物層3を順次形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の絶縁膜上に、導電性物質からなる配線層と絶縁層とが積層されてなる薄膜半導体装置において、配線層の少なくとも1層はCuもしくはCuを主成分とする合金からなり、絶縁層は前記配線層側より非酸化物層、酸化物層が順次積層された構造であり、かつ酸化物層の厚さは非酸化物層の厚さより厚いことを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
