特許
J-GLOBAL ID：200903037643897250
バイアス電位発生回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036289
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】この発明は、スタンバイ解除時にバイアス電位を短時間に立ち上げることができるとともに、動作状態での消費電流を抑えることができ、しかも、メモリセルからデータを読み出す場合、ビット線の電位が電源電位に依存せず、アクセス時間を短縮可能なバイアス電位発生回路を提供すること目的とする。【構成】スタンバイ解除時、トランジスタN9は、バイアス電位Vbiasが定常電圧より低いとき導通し出力端21に電流を供給する。その後、トランジスタN5によってバイアス電位Vbiasが出力される。よって、バイアス電位Vbiasはスタンバイ解除後、短時間で立上り、しかも、定常動作時の直流的な消費電流を減少できる。また、スタンバイ解除後、トランジスタP4は、電源Vccの上昇に伴ってバイアス電位Vbiasを上昇させる。したがって、電源Vccに対するビット線電位Vbit の依存性を除去することができ、メモリセルのアクセス時間を短縮できる。
請求項（抜粋）：
電流通路の一端に所定電位が供給され、ゲートと電流通路の他端が出力端に接続され、出力端に所定の電位を供給するデプレッション型のトランジスタと、前記出力端に接続され、出力端が所定範囲の電位状態の場合、この出力端に電流を供給する電流供給回路と、を具備することを特徴とするバイアス電位発生回路。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, H01L 29/78
, H03K 19/00
