特許

J-GLOBAL ID：200903037648191860

自己整合基体接点を有するSOIトランジスタおよび製造方法

発明者： クラウス・ディートリヒ・バイヤー ,  タキ・ナセル・ブーティ ,  チャン=ミン・シエ ,  ルイ・ル=チェン・シュー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162653
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051208
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ゲート延長部を通る自己整合本体接点を有するSOIトランジスタを形成することにより、面積の増大を最小にし、しかも従来の技術のように本体接点をソース中に貫通させる必要のない本体接点を形成することにある。【構成】 ソース(116)およびドレイン(114)を隆起させて初期開口を画定し、コンフォーマル層(120)を付着させ、これをエッチングして開口を画定する側壁を形成し、これらの側壁を使用して接点開口をエッチングして、絶縁側壁を支持する側壁支持部材を画定し、コレクタ電極をゲートからもソースおよびドレインからも分離する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に設けられたシリコン層中に活性トランジスタ領域を画定する工程と、ゲート酸化物、ゲートおよびゲート誘電体を備えるゲート・スタックを形成する工程と、上記ゲート・スタックをパターン形成して、ゲート延長部を有するゲートを画定し、さらに上記活性領域中に上記ゲートに隣接してソース領域とドレイン領域を画定する工程と、上記ゲートの縁部に絶縁ゲート側壁を形成する工程と、上記ソースおよびドレインの上に、上記絶縁ゲート側壁によって上記ゲートから絶縁されたソース接点部材およびドレイン接点部材を形成する工程と、上記ソース接点部材およびドレイン接点部材の上に、上記ゲート誘電体の上面より高い位置に上面を有し、上記ゲート延長部に隣接した側壁画定用縁部を有するキャップ誘電体を形成する工程と、上記ゲート誘電体およびキャップ誘電体の上に、開口画定用の第1のコンフォーマル誘電体層を付着させ、上記ゲート誘電体の上に、上記コンフォーマル誘電体層で覆われた底部を有する開口位置を画定し、上記キャップ誘電体の上記側壁画定用縁部の上に内部開口側壁を画定する工程と、上記第1のコンフォーマル誘電体層と、上記ゲート延長部を通して方向性エッチングを行って、開口を形成し、上記内部開口側壁の位置に側壁部材を形成する工程と、上記開口中に延びる第2のコンフォーマル誘電体層を付着させる工程と、上記第2のコンフォーマル誘電体層の方向性エッチングを行って、上記開口の内壁上に絶縁性の内部側壁を有する基体接点開口を形成する工程とを含むSOI電界効果トランジスタの製造方法。