特許

J-GLOBAL ID：200903037656972889

不揮発性半導体記憶装置およびその制御方法

発明者： 木曽 弘志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-120042
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307491
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 書き込み/消去中に異なるハ ゙ンクからテ ゙ータ読み出し可能で、次のコマント ゙をチッフ ゚内に待機させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 書き込み/消去中に次のコマント ゙が取り込まれたとき、書き込み/消去を実行中のハ ゙ンクと次のハ ゙ンクが同じか否かを識別部12で識別する。同じ場合には第1の書き込み/消去終了後、書き込み/消去用電圧を発生させたまま、第2の書き込み/消去を行う。異なる場合には第1の書き込み/消去終了後、書き込み/消去用電圧の発生を止めて読み出し用電圧にし、識別手段12の出力によりラッチ回路11を更新し、ハ ゙ンク切替制御部7により電源スイッチ3、4を切り替え、書き込み/消去用電圧を発生させて、第2の書き込み/消去を行う。

請求項（抜粋）：

各々一括消去可能な複数のメモリアレイブロックからなるバンクを複数有し、任意の1つのバンクに対して第1の書き込みまたは消去コマンドを入力して書き込みまたは消去を行い、他のバンクに対して読み出しを行っている間に、第2の書き込みまたは消去コマンドを入力し、該第1の書き込みまたは消去動作が終了した後に、該第2の書き込みまたは消去を行う機能を有する不揮発性半導体記憶装置において、いずれのバンクを選択するかを判定するバンク判定信号が入力され、バンク判定信号が変わったか否かを識別する識別手段と、該バンク判定信号が入力されて該バンク判定信号を記憶し、該識別手段からの出力信号によって更新されるラッチ手段と、該ラッチ手段からの出力信号が入力され、該信号によって選択バンクを切り替えるバンク切替制御手段とを備えている不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/06 550

FI (5件)：

G06F 12/06 550 B ,  G11C 17/00 601 A ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 612 F ,  G11C 17/00 613

Fターム (11件)：

5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08 ,  5B060BB01 ,  5B060CA03 ,  5B060CA11 ,  5B060MM01