特許
J-GLOBAL ID：200903037657204036
エッチング方法及び該エッチング方法を用いた半導体素子の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293314
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115877
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 処理工程が少なく簡便で、選択精度に優れ、安定なエッチング方法を提供する。また、シャントや外観不良、非エッチング領域及び非エッチング層への損傷の発生などの課題を解決して特性の良好な光起電力素子を提供する。更に、低コストで工程も少なく、装置を小型化でき、処理時間を削減できる透明導電膜を選択的エッチングする装置を提供する。【解決手段】 被エッチング膜102を積層した基板101を電解液106中に浸漬し、該基板を陰極とし、基板101及び電解液間に直流電流またはパルス電流を流すことにより、被エッチング膜102を電解還元する選択的エッチング方法であって、基板101から所定の間隔の位置に所望のエッチングパターンに形成されている対向極103を設け、直流電流またはパルス電流が流されるエッチング方法。
請求項（抜粋）：
被エッチング膜を積層した基板を電解液中に浸漬し、該基板を陰極とし、前記基板及び前記電解液間に直流電流またはパルス電流を流すことにより、前記被エッチング膜の所定の部分を除去する選択的エッチング方法において、前記基板から所定の間隔の位置に所望のエッチングパターンに形成されている対向極を設け、前記直流電流またはパルス電流が流されることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3063
, H01L 31/04
H01L 21/306 L
, H01L 31/04 A
