特許

J-GLOBAL ID：200903037659738259

配線の形成方法

発明者： 滝沢 正明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152519
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017915
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホール内にボイドの生じないシェアド・コンタクト配線の形成方法を提供する。【構成】 第2ポリシリコン膜28をエッチングしない条件でコンタクトホール31を形成した後、コンタクトホール31に上面が露出する第2ポリシリコン28のみをエッチングし、この後、ライトエッチ等を施して自然酸化膜の除去を行った後、第3ポリシリコン膜、第3層間絶縁膜の堆積を行う。これにより、コンタクトホール内に、第2ポリシリコン膜28の端部が庇状に突出することがなくなり、その後ポリシリコン膜、層間絶縁膜等のカバレッジを向上させるため、コンタクトホール31内にボイドが発生するのを防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に絶縁膜を介して下層導電層を形成した後、層間絶縁膜を介して上層導電層を形成し且つ該上層導電層の端縁部が形成予定されるコンタクトホール内に位置するようにパターニングを行い、次いでコンタクトホールをエッチングにより形成して前記上層導電層と前記下層導電層とを露出させた後、自然酸化膜の除去を行い、該コンタクトホールの内面に沿って導電膜を堆積して前記上下層の導電層どうしを接続する配線の形成方法において、前記コンタクトホールのエッチングは、前記下層導電層まで前記層間絶縁膜を異方性加工する第1工程と、該コンタクトホール内で上面が露出する前記上層導電層を除去する第2工程とからなることを特徴とする配線の形成方法。