液晶光変調素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319688
公開番号（公開出願番号）：特開2000-147527
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】液晶光変調素子の製造方法であって、基板間隔、従って基板間の液晶の厚さを精度よく維持でき、また所望の素子特性を維持して良好な画像表示を行える液晶光変調素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1の基板1aの片面にホトレジスト材料からなる膜を形成し、露光処理を施し、ホトレジスト構造体2を形成し、シール剤を基板の光変調領域の周辺部に塗布し、第2の基板1bにはスペーサSを分散配置し、第1及び第2の基板1a、1bを構造体2、シール剤及びスペーサSを間にして重ね合わせ、両基板外側から加圧加熱してシール剤及び構造体2で両基板1a、1bを接続し、両基板間に液晶3を注入する。

請求項（抜粋）：

対向配置された第1及び第2の基板間に液晶を保持した液晶光変調素子の製造方法であり、前記第1の基板の片面にホトレジスト材料からなる膜を形成する膜形成工程と、前記ホトレジスト材料の膜に対し所定の露光パターンで露光処理を施す露光工程と、前記露光工程後、前記膜を現像処理して前記露光パターンに対応したホトレジスト構造体を形成する工程と、前記ホトレジスト構造体の軟化温度より硬化温度が高いシール剤を前記両基板のうち少なくとも一方の基板の他方の基板に対向する側の光変調領域の周辺部に配置する工程と、前記第2の基板の前記第1の基板に対向する側にスペーサを分散配置する工程と、前記第1及び第2の基板を前記ホトレジスト構造体、シール剤及びスペーサを間にして重ね合わせ、両基板外側から加圧しながら前記シール剤を硬化させ得る温度に加熱して該シール剤を基板に接着硬化させるとともに前記ホトレジスト構造体を基板に融着させる基板重ね合わせ工程と、前記重ね合わせ工程により重ね合わされた前記両基板間に液晶を注入する工程とを含むことを特徴とする液晶光変調素子の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/1339 505 , G02F 1/1339 500 , G02F 1/13 101

FI (3件)：

G02F 1/1339 505 , G02F 1/1339 500 , G02F 1/13 101

Fターム (31件)：

2H088FA02 , 2H088FA03 , 2H088FA09 , 2H088FA10 , 2H088FA16 , 2H088FA20 , 2H088FA25 , 2H088FA29 , 2H088GA17 , 2H088HA04 , 2H088JA05 , 2H088MA17 , 2H089KA15 , 2H089LA07 , 2H089LA08 , 2H089LA09 , 2H089LA20 , 2H089MA07Y , 2H089NA09 , 2H089NA22 , 2H089NA24 , 2H089NA31 , 2H089NA39 , 2H089NA44 , 2H089NA45 , 2H089NA48 , 2H089NA58 , 2H089QA04 , 2H089QA12 , 2H089QA14 , 2H089RA05

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