特許

J-GLOBAL ID：200903037670689448

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 倫子 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  内藤 正規 ,  工藤 寛 ,  大倉 嘉之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204832
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118007
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、クラックを生ぜず、基板段差をグローバルに平坦化でき、そして層間絶縁膜あるいは保護膜として有用なシリコン酸化膜を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置を製造するにあたって、下記の工程:特定のポリカルボシランの溶媒溶液を内部に導電性成分が作り込まれている基板上に適用する工程、そして塗布後のポリカルボシランの膜を酸化性雰囲気中で350°C以上の温度で加熱して前記ポリカルボシラン膜をシリコン酸化膜に変換する工程、を含んでなるように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するに当たって、下記の工程:次の一般式(1)によって表されるポリカルボシラン:【化1】(上式において、R<SB>1</SB>は、水素、1〜4個の炭素原子を有している置換もしくは非置換のアルキル基又は置換もしくは非置換のアリール基を表し、R<SB>2</SB>は、置換もしくは非置換のメチレン又はメチン基を表し、そしてm及びnは、それぞれ、10<m+n<1000及びn/m<0.3の条件を満たす正の整数を表す)の溶液を内部に導電性成分が作り込まれている基板上に適用する工程、そして塗布後のポリカルボシランの膜を酸化性雰囲気中で350°C以上の温度で加熱して前記ポリカルボシラン膜をシリコン酸化膜に変換する工程、を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 33/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  C30B 29/06 501