特許

J-GLOBAL ID：200903037671666034

回路基板の製造方法

発明者： 中村 真人 ,  石原 昌作 ,  勝村 宣仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-005371
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204941
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】焼成温度が銅箔が容易に軟化変形する温度以上の場合、粗化処理した形状が消失し、界面が平坦な形状となり充分な接着強度が得られないという問題が有った。特に基板の反りを抑制するために加圧焼成を行うと焼成温度が低い場合でも、この様な問題が生じる。【解決手段】銅箔の粗化処理面の表面を軟化温度が焼成温度以上で、かつ焼成温度で基板のガラスセラミック材料と強固に接合するセラミックで被覆する。

請求項（抜粋）：

ガラスセラミック多層配線回路基板の製造工程において、粗化面を軟化温度が該ガラスセラミック多層回路基板のガラスセラミック成分の軟化温度以上のセラミックで被覆した銅箔とガラスセラミック多層回路基板を張り合わせて、焼成し接着させる事を特徴とする回路基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/03 630

FI (3件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T ,  H05K 1/03 630 J