特許
J-GLOBAL ID:200903037675009062

多波長半導体光検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-160662
公開番号(公開出願番号):特開平5-013804
出願日: 1991年07月01日
公開日(公表日): 1993年01月22日
要約:
【要約】【目的】 受光素子検出信号に逆相で相加し漏話信号のみを除去する。【構成】 半絶縁性GaAs基板上に受光素子1(22)、受光素子3(24)、受光素子2(23)を縦列状に並べて集積化する。3個の受光素子は、同一構造で連続して構成した超格子層を光吸収層かつコア層とする光導波路構造を有する。受光素子3は受光素子1よりも短く構成する。
請求項(抜粋):
半絶縁性半導体基板上に同一面内に連続した構造を有する半導体超格子層を光吸収層かつコア層とする第一、第二、第三の半導体光導波路構造受光素子が順次縦列状に集積化された構成において、前記第二の受光素子は少なくとも前記第一の受光素子に比べて短い長さを有し、かつ前記第二の受光素子を構成する全ての半導体導電層が少なくとも前記第一の受光素子を構成する半導体導電層とは完全に分離されており、前記第一および第二の受光素子の縦列接続が可能な構造を有することを特徴とする多波長半導体光検出器。

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