特許
J-GLOBAL ID：200903037678790741
半導体集積回路製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081413
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169667
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路の製造のためのリソグラフィー技術において、最適の焦点および暴露量を達成する。【構成】 本方法は、レンズ系およびレジストを有する基板を準備し、前記レジストに第1潜像を生成し、エネルギーへの暴露によって前記潜像を照射検査して散乱エネルギーの特性を測定し、所望の潜像を生成するような焦点および暴露量(リソグラフィー・パラメータ)を選択し、前記レジスト内に他の潜像を形成するために所望の焦点および暴露量を利用するステップからなる。同様の方法が、レンズ系パラメータ(非点収差、焦点ずれ感受性、焦点深度、解像度、コマ、球面収差、および像面湾曲)の調整にも適用される。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路製造方法において、レジストを有する基板を準備するステップと、前記レジストに第1潜像(各像は所定のリソグラフィー・パラメータによって特徴づけられる)を生成するステップと、エネルギーへの暴露によって前記潜像を照射検査しおよび散乱エネルギーの特性を測定するステップと、所望の潜像を生成するように選択された、所望の前記リソグラフィー・パラメータ値を選択するステップと、前記レジスト内に他の潜像を形成するために前記所望のリソグラフィー・パラメータ値を利用するステップからなることを特徴とする半導体集積回路製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 512
, H01L 21/30 526 Z
