特許

J-GLOBAL ID：200903037684344125

基板の研磨法

発明者： 吉田 誠人 ,  倉田 靖 ,  松沢 純
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106993
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する研磨法を提供する。【解決手段】 TEOS-CVD法で作製したSiO2絶縁膜を形成させたSiウエハのSiO2絶縁膜と酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーとの化学反応により反応層を形成し、この反応層を酸化セリウム研磨剤で機械的に除去することにより研磨する。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子を媒体に分散させたスラリーと所定の基板上に設けられた絶縁膜層の1部との化学反応により反応層を形成し、前記反応層を前記スラリ-を含む酸化セリウム研磨剤で機械的に除去することを特徴とする基板の研磨法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C01F 17/00

FI (5件)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C01F 17/00 A