フォトレジスト用ノルボルネン共重合体、その製造方法及びそれを含むフォトレジスト組成物

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119638
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348333
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】【課題】超高集積半導体のエキシマレーザ微細加工に適するように、透明性、高感度、高解像度及びエッチング耐性を有するフォトレジスト用ノルボルネン共重合体、その製造方法及び逸れを含むフォトレジスト組成物を提供することである。【解決手段】下記化学式1:【化1】で示される、フォトレジスト用ノルボルネン共重合体である。

請求項（抜粋）：

下記化学式1:【化1】(式中、R1は炭素数1〜12個の直鎖状、分枝状または環状アルキル基であり、R2〜R5およびR8〜R11はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基であり、R6及びR7はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜10個の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、-(CH2)t-R12、-(CH2)t-OR12、-(CH2)t-C(O)OR12、-(CH2)t-C(O)R12、-(CH2)t-OC(O)R12、-(CH2)t-OC(O)OR12、または-(CH2)t-C(O)OCH2OR12であり、R12は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜12個の直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基またはケトン基を含む環状基であり、tは0〜6の整数であり、R6及びR7は互いに連結されて環を形成することができ、l、m及びnはそれぞれ0.1≦l/(l+m+n)≦0.99、0≦m/(l+m+n)≦0.3、0.01≦n/(l+m+n)≦0.6を満足させる値であり、o、p、q、r及びsはそれぞれ独立して0〜2の整数である。)で示される、フォトレジスト用ノルボルネン共重合体。

IPC (5件)：

C08F232/00 , C08F 4/26 , C08F 8/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5件)：

C08F232/00 , C08F 4/26 , C08F 8/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (67件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J015DA09 , 4J015DA23 , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100AR11R , 4J100AR21P , 4J100AR21Q , 4J100AR21R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA02R , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA04R , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA16P , 4J100BA16Q , 4J100BA16R , 4J100BA22P , 4J100BB07P , 4J100BC02P , 4J100BC02Q , 4J100BC02R , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC03R , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100BC12R , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100BC60P , 4J100BC60Q , 4J100BC60R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA31 , 4J100FA08 , 4J100HA43 , 4J100JA38

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