特許

J-GLOBAL ID：200903037685350099

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 田辺 義和 ,  中塚 康彦 ,  橋本 尚 ,  本多 光晴 ,  夏秋 信義
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097374
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に浅い不純物ドープ層を形成することのできる不純物ドーピング法を提供する。【解決手段】 半導体基板の浅い領域(100nm以下)にホウ素イオンまたはホウ素を含む分子イオンを注入した後、半導体基板を乾式酸化(600〜700°C程度)することにより、半導体基板の表面にホウ素の外方拡散を防止するための酸化シリコン膜を形成し、次いで半導体基板を不活性ガス雰囲気中でアニール(800〜1100°C、1〜300秒程度)した後、高温短時間(800〜1000°C、10〜600秒程度)の湿式酸化を行う。また、触媒作用によって水素と酸素とから生成した水蒸気を含む酸素ガスを所定の温度に加熱された半導体基板の主面またはその近傍に供給することによって、上記湿式酸化を行う。

請求項（抜粋）：

イオン注入とアニールとを組み合わせた不純物ドーピング法を用いて半導体基板に不純物ドープ層を形成するにあたり、以下の工程(a)〜(d)を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体基板にホウ素イオンまたはホウ素を含む分子イオンを注入する工程、(b)前記半導体基板を乾式酸化することにより、前記半導体基板の表面にホウ素の外方拡散を防止するための酸化シリコン膜を形成する工程、(c)前記半導体基板を不活性ガス雰囲気中でアニールする工程、(d)前記半導体基板を湿式酸化する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 29/78 301 Y