特許
J-GLOBAL ID：200903037686861720
発光ダイオード素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103462
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298344
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の一面に部分的に突出したレンズを有する発光ダイオード素子を歩留りよく安価に製造する技術を提供する。【構成】 半導体ウエハの一面に部分的に突出したレンズを所定間隔に形成する工程と、前記半導体ウエハを縦横に分断する工程とを有する発光ダイオード素子の製造方法であって、前記レンズ形成工程の前または後に前記半導体ウエハの他面にアノード電極とカソード電極を形成する。前記アノード電極とカソード電極は同時に形成する。前記アノード電極およびカソード電極は蒸着で形成する。【効果】 アノード電極およびカソード電極が同一面に設けられ、電極形成は1回の電極形成工程で済むことから製造コストの低減が達成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一面に部分的に突出したレンズを有する発光ダイオード素子であって、前記レンズが設けられない半導体基板の他面にアノード電極およびカソード電極が設けられていることを特徴とする発光ダイオード素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 M
