SOI基板におけるSOI膜厚均一化方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285784
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140365
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 SOI膜厚が1μm以上10μm以下のSOI基板においても、SOI膜厚のバラツキを基板全面に亘って±0.3μm以下に抑えることができるSOI基板におけるSOI膜厚均一化方法を提供すること。【構成】 SOI基板11面内を複数に区画し、光ファイバー30を用いた分光干渉法によってSOI基板の各区画Wi(i=1〜n)毎にSOI膜厚を測定しながら、同時にドライエッチング装置40によってSOI膜を所定厚さになるまでエッチング処理することによって、SOI膜厚が所望の値及びバラツキ(±0.3μm)以下となるようにする(第1実施例)。

請求項（抜粋）：

SOI基板面内を複数に区画し、光ファイバーを用いた可視光分光干渉法によって各区画毎にSOI膜厚を測定しながら、同時にドライエッチング装置によってSOI膜を所定厚さになるまでエッチング処理することを特徴とするSOI基板におけるSOI膜厚均一化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/66 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-196559
特開昭62-063431
特開昭63-116429

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