特許

J-GLOBAL ID：200903037695865615

基板処理装置

発明者： 谷口 武志
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231281
公開番号（公開出願番号）：特開2003-041365
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】従来技術の問題点である低温での多結晶シリコン膜などの形成における触媒CVD装置のエネルギー効率の悪化を解決し、膜質が良好で、膜厚の均一性の高い成膜を実現できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理室(5)と、触媒体(2)により反応ガスを加熱するガス加熱室(6)と、ガス加熱室(6)で加熱された反応ガスを基板処理室(5)に導入する反応ガス供給路(8)を設けた基板処理装置とすることにより、反応室内の温度制御性が向上し、膜質が良好で、膜厚の均一性の高い成膜を実現することができる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する反応室と、触媒体により反応ガスを加熱するガス加熱室と、上記ガス加熱室で加熱された反応ガスを上記反応室に導入するガス供給路とを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 16/44 A ,  H01L 21/31 B

Fターム (17件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  4K030KA49 ,  5F045AA03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05