特許
J-GLOBAL ID：200903037697806250

層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-070745
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332543
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させる。【解決手段】 同一分子内に3つ以上の官能基群を持つことにより3次元構造を有している第1の架橋分子と、同一分子内に2つの官能基群を持つことにより2次元構造を有している第2の架橋分子とを重合させて3次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。3次元重合高分子の内部には、第1の架橋分子と第2の架橋分子とが重合することにより形成された分子レベルの多数の空孔が分散している。
請求項（抜粋）：
3次元構造を有する第1の架橋分子と2次元構造を有する第2の架橋分子とが重合することに形成され、内部に分子レベルの多数の空孔を有する3次元重合高分子からなることを特徴とする層間絶縁膜。
IPC (3件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C09D177/00
FI (4件)：
H01L 21/312 A ,  C09D177/00 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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