特許

J-GLOBAL ID：200903037705056044

配線構造及びその形成方法

発明者： 唐川 勝行
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037311
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309174
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 Cuを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。【解決手段】 Cu配線に対応した保護膜として、当該Cuの拡散防止及びビア孔23形成時のエッチングストッパーとしての機能を有し、しかも低誘電率を示す構造の保護膜16を提案する。この保護膜16は、水素化シリコンカーバイド膜(SiC:H膜)21上にシリコン窒化膜(SiN膜)22が積層されてなる2層構成のものである。

請求項（抜粋）：

基板の上方に下層配線を形成する工程と、前記下層配線の一表面を覆うように、シリコンカーバイドからなる第1の保護膜を形成する工程と、前記第1の保護膜上に、絶縁材料からなる第2の保護膜を形成する工程と、前記第2の保護膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の保護膜をストッパーとして、前記層間絶縁膜に開孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上層部位を前記開孔と整合する部位で加工する工程と、前記開孔に整合するように前記第2の保護膜及び前記第1の保護膜を加工し、前記開孔から前記下層配線の一表面を露出させる工程と、少なくとも前記開孔内を導電材料により埋め込む工程とを含むことを特徴とする配線構造の形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 A

Fターム (38件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28