特許
J-GLOBAL ID：200903037705517793

半導体ウエハ用サポートの保護被覆とその形成方法。

発明者：
ロバート ウー

ロバート ウー について

, 
ジィアン ディング

ジィアン ディング について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050675
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】集積回路処理装置において使用される半導体ウエハの静電気的クランピングに使用される誘電材を保護する保護被覆に関し、物理的及び化学的に強固な保護被覆を実現することを目的とする。【解決手段】望ましい実施例においては、保護被覆10は、アルミニウム酸化物若しくは窒化アルミニウムのようなアルミニウム化合物を備え、そしてウエハ50をウエハサポート40へクランプするために要する静電荷を干渉することがないように、1から30ミクロンの範囲にあるが誘電材20の厚さの50%を越えないような厚さを有する。
請求項（抜粋）：
侵食性ガスを用いる半導体処理チャンバ内で使用される、半導体ウエハを静電荷によりクランプならしめる金属製ウエハサポート上の誘電材の上部に配置された保護被覆であって、前記半導体ウエハを、静電荷により前記金属製ウエハサポートへクランプならしめるための所望の静電荷を確立することへの障害とならないように前記誘電材の上方に配置され、前記誘電材を侵食性ガスによる化学侵食から保護するための前記保護被覆。
IPC (3件)：
H01L 21/68 ,  C23C 4/10 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/68 R ,  C23C 4/10 ,  H01L 21/302 B
Fターム (13件)：
4K031AA06 ,  4K031CB43 ,  4K031CB46 ,  4K031DA04 ,  5F004BA00 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB30 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031MA32
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-152953
  • 特開平3-194948
  • 特開平4-367247

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