特許
J-GLOBAL ID：200903037706026106
素子製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-180070
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055792
出願日： 1989年02月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【課題】 光学部品の光学薄膜の劣化を無くすこと。【解決手段】 KrFエキシマレーザ1が放射する紫外線レーザ光を伝送するための光学部品5、7、8周囲の空間を密閉空間とし、この密閉空間内に不活性ガスを満たす。
請求項（抜粋）：
基板に紫外線を照射する段階を含む素子製造方法において、前記紫外線の光路中に設けた光学部品の周囲を不活性ガスで満たすことを特徴とする素子製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 515 B
, H01L 21/30 516 F
