特許

J-GLOBAL ID：200903037713995572

半導体レーザ素子

発明者： 森本 泰司 ,  石住 隆司
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山崎 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189880
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037072
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 戻り光雑音を抑制できる上、熱放散効率を良くして信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 チップ本体1の端面2aのレーザ光出射箇所220の周囲に、活性層205よりも小さいバンドギャップを有する半導体材料からなる光吸収層4,4を設ける。上記端面2aと光吸収層4,4との間に、活性層205よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料からなり、上記端面全域を覆う窓層3aを設ける。

請求項（抜粋）：

レーザ発振を行う活性層を含む半導体層からなり、上記半導体層の端面のうちの特定箇所からレーザ光を出射するチップ本体と、上記活性層よりも小さいバンドギャップを有する半導体材料からなり、上記チップ本体の上記端面のうち上記レーザ光を出射する箇所の周囲を覆う光吸収層と、上記活性層よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料からなり、上記チップ本体の上記端面と上記光吸収層との間に設けられ上記端面全域を覆う窓層を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。