特許
J-GLOBAL ID：200903037716222833
半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137294
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330053
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】プラズマ処理室内における浮遊した微小異物の検出感度を向上してプラズマ処理室内の汚染状況のリアルタイムモニタリングを可能とする。【解決手段】所望の波長を有し、所望の周波数で強度変調した複数のビームを前記処理室1内に照射する照射光学系101と、その散乱光を前記波長成分で分離して受光して信号に変換する散乱光検出光学系102と、その信号から前記強度変調した所望の周波数成分を抽出することによってプラズマ中若しくはその近傍に浮遊した異物を示す複数の信号をプラズマによるものから分離して検出するプラズマ浮遊異物計測装置103により背景雑音を消去し、異物散乱信号を強調することによって処理室内に発生・浮遊した異物を計測する。
請求項（抜粋）：
処理室内にプラズマを発生させ、該プラズマによって半導体基板に対して処理して半導体を製造する半導体の製造方法において、所望の波長を有し、所望の周波数で強度変調したビームを前記処理室内に照射する照射光学系と、該照射光学系で照射されたビームによって前記処理室内から得られる散乱光を前記波長成分で分離して受光して信号に変換する散乱光検出光学系と、該散乱光検出光学系から得られる信号から前記強度変調した所望の周波数成分を抽出することによってプラズマ中若しくはその近傍に浮遊した異物を示す信号を前記プラズマによるものから分離して検出する異物信号抽出手段と、該異物信号抽出手段から検出される浮遊した異物を示す信号からノイズ成分を除去するノイズ除去手段とを備えたプラズマ浮遊異物計測装置を用いて前記処理室内に発生したプラズマ中若しくはその近傍に浮遊した異物を計測することを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, G01N 15/14
, G01N 21/85
, H01L 21/205
, H05H 1/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 E
, G01N 15/14 B
, G01N 21/85 B
, H01L 21/205
, H05H 1/00 A
, H05H 1/46 A
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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