水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFETおよび該デプレッション型MESFETの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321479
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188191
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFETを提供する。【解決手段】表面を水素原子で終端2した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド1の表面に金からなるドレインオーミックコンタクト3と、ソースオーミックコンタクト4と、Ni,W,Fe,Cu,Cr,もしくはダイヤモンド表面とのショットキー障壁の高さが0.7eV以下の金属材料からなるゲート電極5を形成するとともに、素子形成領域以外の表面を酸素終端などの非水素終端させた絶縁領域11とした水素終端ダイヤモンドを用いたデプレッション型MESFET。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドの表面を水素終端した領域にニッケル(Ni),タングステン(W),鉄(Fe),銅(Cu),クロム(Cr)のいずれかからなるゲート電極を有するデプレッション型MESFETを設けたことを特徴とする水素終端ダイヤモンドデプレッション型MESFET。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 29/47 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 B , H01L 29/80 F , H01L 29/80 M , H01L 29/48 M

Fターム (42件)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD91 , 4M104GG12 , 4M104GG13 , 4M104HH17 , 4M104HH20 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045CA06 , 5F045EB17 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開平1-239091

引用文献：

審査官引用 (3件)

1995年(平成7年)秋季第56回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 19950826, p.385
Japanese Journal of Applied Physics, 19940515, Vol.33,Part 2,No.5B, p.479-484
Europhysics Letters, 19940905, Vol.27,No.6, p.479-484

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