特許

J-GLOBAL ID：200903037726769733

フラックス残渣の処理方法

発明者： 市川 克之 ,  清水 俊幸
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287046
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100859
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 簡単な方法でフラックス残渣による電子回路基板の絶縁劣化を防止することができるフラックス残渣の処理方法を提供する。【解決手段】 水を基材としたフラックスを用い、半田付けによって部品実装された電子回路基板1の電極2,2間のフラックス残渣の被膜3を処理する際に、上記電子回路基板1上に水の微粒子を付着させ、この水の微粒子にフラックス残渣を溶解させてフラックス水溶液とする。そして、この電子回路基板1を加熱することにより、フラックス水溶液を蒸発させたり、溶解したフラックス残渣を凝縮させて電子回路基板1の電極2,2間のフラックス残渣の被膜3の一部もしくは全部を消失させる。

請求項（抜粋）：

水を基材としたフラックスを用い、半田付けによって部品実装された電子回路基板の電極間のフラックス残渣の処理方法において、上記電子回路基板上に水の微粒子を付着させ、この電子回路基板を加熱することにより、電子回路基板の電極間のフラックス残渣の被膜の一部もしくは全部を消失させることを特徴とするフラックス残渣の処理方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 503 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/00 330

FI (3件)：

H05K 3/34 503 Z ,  B23K 1/00 F ,  B23K 1/00 330 E

Fターム (9件)：

5E319AC01 ,  5E319BB01 ,  5E319BB07 ,  5E319CC23 ,  5E319CD21 ,  5E319CD28 ,  5E319CD35 ,  5E319GG07 ,  5E319GG20