半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217692
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055696
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】埋込み型ストライプ構造の半導体レーザの製造方法に関し,電流を阻止する埋込み層を厚くメサに近接して形成し,リーク電流の低減を目的とする。【構成】半導体基板1上に第1導電型の第一クラッド層2,活性層3及び第2導電型の第二クラッド層4を順次堆積し,ストライプ状のマスク5を用いたエッチングにより第二クラッド層2の途中の深さ迄除去してストライプ状のメサ6を形成する工程と,第2導電型の第一埋込み層8をメサ6を覆い基板1上に堆積する工程と,次いで,第一埋込み層8をメルトバックしてメサの頂上7に第二クラッド層4を表出する工程と,第1導電型の第二埋込み層9をメサの頂上7及び第一埋込み層8を覆い該基板1上に堆積する工程と,第二埋込み層9をメルトバックしてメサの頂上7に第二クラッド層4を表出する工程と,第2導電型の第三クラッド層10を基板1上に堆積する工程とを有して構成する。

請求項（抜粋）：

埋込み型ストライプ構造を有する半導体レーザの製造方法において,半導体基板(1)上に第1導電型の第一クラッド層(2),活性層(3)及び第2導電型の第二クラッド層(4)を順次堆積する工程と,該第一クラッド層(2),該活性層(3)及び該第二クラッド層(4)をストライプ状のマスク(5)を用いたエッチングにより該マスク(5)以外の領域を該第一クラッド層(2)の途中の深さ迄除去してストライプ状のメサ(6)を形成する工程と,次いで,第2導電型の第一埋込み層(8)を該メサ(6)を覆い該基板(1)上に堆積する工程と,次いで,該第一埋込み層(8)をメルトバックして該メサの頂上(7)に該第二クラッド層(4)を表出する工程と,次いで,第1導電型の第二埋込み層(9)を該メサの頂上(7)及び該第一埋込み層(8)を覆い該基板(1)上に堆積する工程と,次いで,該第二埋込み層(9)をメルトバックして該メサの頂上(7)に該第二クラッド層(4)を表出する工程と,次いで,第2導電型の第三クラッド層(10)を該メサの頂上(7)を覆い該基板(1)上に堆積する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

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