特許
J-GLOBAL ID:200903037730920640

膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 白井 重隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-177694
公開番号(公開出願番号):特開2001-002992
出願日: 1999年06月24日
公開日(公表日): 2001年01月09日
要約:
【要約】【課題】 450°C以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 および/またはR2 Si(OR1 )3 ならびにSi(OR1 )4 (R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す)、で表される化合物、これらの加水分解物および/またはこれらの縮合物、(B)(メタ)アクリレート系重合体、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される化合物および/または一般式(2)で表される化合物、ならびに、下記一般式(3)で表される化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 Si(OR1 )2 (1)R2 Si(OR1 )3 (2)Si(OR1 )4 (3)(R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す。)(B)アルコキシシリル基を含むラジカル重合性モノマーを0.1〜10モル%含むモノマーを重合してなる(メタ)アクリレート系重合体、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒おびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件):
C09D183/04 ,  C09D133/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (4件):
C09D183/04 ,  C09D133/04 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (38件):
4J038CG141 ,  4J038CG142 ,  4J038CH031 ,  4J038CH032 ,  4J038CH041 ,  4J038CH042 ,  4J038CL001 ,  4J038CL002 ,  4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038GA07 ,  4J038GA12 ,  4J038JA17 ,  4J038JA26 ,  4J038JA32 ,  4J038JA55 ,  4J038JA62 ,  4J038JB12 ,  4J038JB27 ,  4J038JB30 ,  4J038JB37 ,  4J038JC31 ,  4J038JC32 ,  4J038KA03 ,  4J038KA06 ,  4J038MA07 ,  4J038MA09 ,  4J038NA07 ,  4J038NA17 ,  4J038PA19 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02

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