特許
J-GLOBAL ID:200903037730920640
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
白井 重隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-177694
公開番号(公開出願番号):特開2001-002992
出願日: 1999年06月24日
公開日(公表日): 2001年01月09日
要約:
【要約】【課題】 450°C以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)R2 R3 Si(OR1 )2 および/またはR2 Si(OR1 )3 ならびにSi(OR1 )4 (R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す)、で表される化合物、これらの加水分解物および/またはこれらの縮合物、(B)(メタ)アクリレート系重合体、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項(抜粋):
(A)下記一般式(1)で表される化合物および/または一般式(2)で表される化合物、ならびに、下記一般式(3)で表される化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 Si(OR1 )2 (1)R2 Si(OR1 )3 (2)Si(OR1 )4 (3)(R1 〜R3 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示す。)(B)アルコキシシリル基を含むラジカル重合性モノマーを0.1〜10モル%含むモノマーを重合してなる(メタ)アクリレート系重合体、ならびに(C)アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒おびエステル系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (4件):
C09D183/04
, C09D133/04
, H01L 21/312
, H01L 21/316
FI (4件):
C09D183/04
, C09D133/04
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
Fターム (38件):
4J038CG141
, 4J038CG142
, 4J038CH031
, 4J038CH032
, 4J038CH041
, 4J038CH042
, 4J038CL001
, 4J038CL002
, 4J038DL021
, 4J038DL022
, 4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038GA07
, 4J038GA12
, 4J038JA17
, 4J038JA26
, 4J038JA32
, 4J038JA55
, 4J038JA62
, 4J038JB12
, 4J038JB27
, 4J038JB30
, 4J038JB37
, 4J038JC31
, 4J038JC32
, 4J038KA03
, 4J038KA06
, 4J038MA07
, 4J038MA09
, 4J038NA07
, 4J038NA17
, 4J038PA19
, 5F058AA04
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
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