特許

J-GLOBAL ID：200903037732353484

半導体装置

発明者： 小熊 広志 ,  松上 昌二 ,  尾▲崎▼ 弘 ,  坪井 敏宏 ,  白井 優之 ,  松永 俊博 ,  堤 安己
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234125
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074406
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 接続端子に高さのばらつきおよび応力の発生が生じるのを大幅に抑制する。【解決手段】 放熱板と、この放熱板のほぼ中央に搭載される半導体チップと、この半導体チップの搭載領域を除く他の領域に該放熱板に接着剤を介して接着されるパッケージ基板と、このパッケージ基板の前記半導体チップを中心とする周辺面に格子状に配置され、該半導体チップの各電極と電気的接続がなされている各接続端子と、を少なくとも備える半導体装置において、前記接着剤は、放熱板の熱膨張による応力がパッケージ基板に反りを与えない状態で形成されている。

請求項（抜粋）：

放熱板と、この放熱板のほぼ中央に搭載される半導体チップと、この半導体チップの搭載領域を除く他の領域に該放熱板に接着剤を介して接着されるパッケージ基板と、このパッケージ基板の前記半導体チップを中心とする周辺面に格子状に配置され、該半導体チップの各電極と電気的接続がなされている各接続端子と、を少なくとも備える半導体装置において、前記接着剤は、放熱板の熱膨張による応力がパッケージ基板に反りを与えない状態で形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 J