特許
J-GLOBAL ID：200903037734822783
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-281548
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135214
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】熱酸化膜の有る部分に、ライフタイム制御のために電子線照射を行うと、表面層のキャリア濃度に変動を生じ、変動層と変動しない層との界面で空乏層端に湾曲が生じ、電界の集中が起こって耐圧が低下を防ぐ。【構成】主電流をスイッチングする活性領域17と、それを囲むフィールドプレートやガードリングのような耐圧構造部12とからなる半導体装置において、選択的に活性領域17に電子線を照射して、耐圧構造部12でのキャリア濃度変動を防ぐ。電子線を局部的に照射する方法と、鉛のような電子線阻止能のすぐれた金属マスクを使用する方法とがある。導通に係わる活性領域とこれを囲む耐圧構造部のうち、活性領域にのみ電子線照射してライフタイム制御することにより高速スイッチング素子の阻止耐圧劣化を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第一の主表面に、主電流の導通を担う活性領域と、この活性領域を囲む周辺部の耐圧構造部を有し、その耐圧構造部の少なくとも一部に酸化膜が有り、かつ電子線照射がされたプレーナ型半導体装置において、選択的に活性領域に電子線を照射したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 321 S
, H01L 29/78 321 W
