特許
J-GLOBAL ID:200903037736622013
透明導電層付き基板及び光起電力素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-011290
公開番号(公開出願番号):特開平11-274539
出願日: 1999年01月20日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】 実用に適した低いコストでありながら、高い歩留まりで生産でき、信頼性が高くかつ光起電力素子に用いた場合に光電変換効率の高い光起電力素子が得られる。【解決手段】 支持基板上に少なくとも一層からなる透明導電層を積層した透明導電層付き基板において、透明導電層の表面の支持基板面からの距離をfとした時の、サンプリング長dxが20nm〜100nmの範囲における傾斜角arctan(df/dx)の分布が、0°を中心とした尖度-1.2〜0.5の正規分布であり、標準偏差が20°〜55°である透明導電層付き基板及び該基板を用いた光起電力素子を提供する。
請求項(抜粋):
支持基板上に少なくとも一層からなる透明導電層を積層した透明導電層付き基板において、前記透明導電層の表面の支持基板面からの距離をfとした時の、サンプリング長dxが20nm〜100nmの範囲における傾斜角arctan(df/dx)の分布が、0°を中心とした尖度-1.2〜0.5の正規分布であり、標準偏差が20°〜55°であることを特徴とする透明導電層付き基板。
FI (2件):
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
引用特許:
審査官引用 (6件)
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-283052
出願人:キヤノン株式会社
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-347457
出願人:キヤノン株式会社
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特開平4-133360
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ZnO-SnO2 系透明導電性膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-209247
出願人:住友金属鉱山株式会社
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特開昭62-247574
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特開昭58-021878
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