特許
J-GLOBAL ID：200903037740181331
欠陥検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320576
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168995
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、小さなパターン不良を検出することのできる欠陥検査装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明の装置は、被検査物表面のマスクパタ-ン情報から理論的パターン情報を形成する手段と、被検査物表面から得られる二次電子波形パタ-ンを作成し、前記マスクパタ-ン情報と被検査物表面から得られる二次電子波形パターンX2 との差分デ-タを算出しこれを表示する手段16とを具備し、被検査物表面から得られる二次電子波形と理論パタ-ンとの差分により半導体表面のパタ-ン形状不良の検出を行うようにしたものである。
請求項（抜粋）：
被検査物表面のマスクパターン情報から、理論的パタ-ン情報をあらかじめ作成する理論的パターン作成手段と、被検査物表面から得られる二次電子波形パタ-ンを作成し、前記理論的パターン情報と被検査物表面から得られる二次電子波形パターンとの差分デ-タを算出する比較手段と前記比較手段の出力に基づき欠陥の有無を表示する表示手段とを具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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