特許
J-GLOBAL ID:200903037745722667

インドロカルバゾール誘導体を含有する電子デバイス用有機導電性材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  佐野 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-068062
公開番号(公開出願番号):特開2009-224593
出願日: 2008年03月17日
公開日(公表日): 2009年10月01日
要約:
【課題】有機エレクトロニクス分野において、高い溶解性を有する導電性材料を提供する。【解決手段】一般式(1)で示される6,12-ジアリールインドロ[3,2-b]カルバゾール誘導体に、ハロゲン、プロトン酸、高分子プロトン酸、ルイス酸、遷移金属塩、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、クロラニル、酸素等の電子受容性物質をドーピングした材料を含有する電子デバイス用有機導電性材料。(Arは、炭素数3〜20のアリール基を示し、R1は、水素、アルキル基、アルケニル基、アシル基、スルホニル基又はアリール基を示し、R2は、水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、スルホニル基、アミノ基又はアリール基を示す。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される6,12-ジアリールインドロ[3,2-b]カルバゾール誘導体に電子受容性物質をドーピングした材料を含有することを特徴とする電子デバイス用有機導電性材料。
IPC (9件):
H01L 51/30 ,  H01B 1/12 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28
FI (9件):
H01L29/28 250H ,  H01B1/12 Z ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/88 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 D ,  H05B33/28
Fターム (14件):
3K107AA01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC45 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD42X ,  3K107DD42Y ,  3K107DD42Z ,  3K107DD71 ,  3K107DD73 ,  3K107DD78 ,  3K107DD84 ,  4M104BB36 ,  5F033HH00
引用特許:
出願人引用 (6件)
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