特許

J-GLOBAL ID：200903037748510156

センサ装置及びその製造方法

発明者： エクハルト ヘーニツヒ ,  フオルカー レーマン ,  ウルフ ビユルカー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254489
公開番号（公開出願番号）：特開平7-167815
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】単位面積当たりの感度が従来のセンサ装置に比べて増大するセンサ装置を提供する。【構成】センサ装置はドープしたシリコンから成り1つの主面22にチャネル23を有する基板21と、そのチャネル23を満たすことなく主面22を覆い物質を検出するための選択装置と、その物質の作用に依存する物理量を測定するための測定装置とを含む。選択装置として特に接触反応膜24が使用され、測定装置として温度センサ25が使用される。センサ装置は多孔性対向電極を備えたコンデンサとして形成することもできる。チャネルは特に電気化学的エッチングによって形成される。

請求項（抜粋）：

ドープしたシリコンから成り第1主面(12、22、32、42)にチャネル(13、23、33、43)を有する基板(11、21、31、41)と、前記チャネル(13、23、33、43)を満たすことなく前記第1主面(12、22、32、42)を覆い物質を検出するための選択装置と、前記物質の作用に依存する物理量を測定するための測定装置(14、15;25;34、35;44、45)とを備えることを特徴とするセンサ装置。

IPC (7件)：

G01N 27/14 ,  C23C 14/14 ,  C23F 1/00 ,  C23F 1/24 ,  G01N 27/22 ,  H01L 21/306 ,  H01L 49/00