窒化物半導体レーザ素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：豊栖康弘 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066593
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281431
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】大電流を投入した駆動時においても電極と半導体層との接触抵抗が低く、且つ密着性もよく、更に絶縁膜と電極との界面において、密着性や機械的強度に極めて優れており、リッジのストライプ方向における電極での光閉じ込めが安定であるレーザ素子特性を有する窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、積層された窒化物半導体にリッジ構造が形成され、リッジ側面から連続する半導体層の平面上に延在して形成されている絶縁膜113と、リッジ上面と絶縁膜113とを被覆しているp側電極120とを備え、電極120は、絶縁膜113と接している領域には白金族元素から成る金属層を備えており、且つ絶縁膜113と接している界面には白金族元素の単結晶が存在している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

積層された窒化物半導体にリッジ構造を形成している窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジ側面から連続する半導体層の平面上に延在して形成されている絶縁膜と、前記リッジ上面と絶縁膜とを被覆している電極とを備えており、前記電極は、絶縁膜と接している領域には白金族元素から成る金属層を備えており、且つ絶縁膜と接している界面には白金族元素の単結晶が存在していることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/042 , H01S5/22

FI (2件)：

H01S5/042 612 , H01S5/22

Fターム (14件)：

5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA25 , 5F073DA32 , 5F073DA33 , 5F073EA24 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ素子及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-104683 出願人：ソニー株式会社
窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-338760 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199461 出願人：松下電器産業株式会社

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