特許

J-GLOBAL ID：200903037758855143

金属酸化物薄膜及びその製造方法

発明者： 福久 孝治 ,  中島 章 ,  篠原 賢次 ,  渡部 俊也 ,  大崎 寿 ,  芹川 正
出願人/特許権者： 株式会社先端技術インキュベーションシステムズ
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002010181
公開番号（公開出願番号）：WO2003-031673
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2003年04月17日
要約：

本発明は、主に非晶質からなる金属酸化物膜を成膜した後、ポスト処理として、温度180°C以下にて高周波電界中で低温プラズマに暴露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する方法と、その方法により製造された結晶性金属酸化物薄膜を提供する。この製造方法によれば、積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物薄膜を形成することができるので、比較的耐熱性の低い基材に対しても、基材の特性を損なうことなく、望ましい特性の金属酸化物薄膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

主に非晶質からなる金属酸化物膜を、温度180°C以下にて、高周波電界中で低温プラズマに暴露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造することを特徴とする方法。

IPC (8件)：

C23C26/00 ,  B01J35/02 ,  C01B13/14 ,  C01G19/00 ,  C01G23/07 ,  C01G25/00 ,  C23C14/58 ,  H01L21/316

FI (9件)：

C23C26/00 M ,  C23C26/00 C ,  B01J35/02 J ,  C01B13/14 Z ,  C01G19/00 A ,  C01G23/07 ,  C01G25/00 ,  C23C14/58 A ,  H01L21/316 P