特許

J-GLOBAL ID：200903037768790961

絶縁膜のエッチング方法

発明者： 足立 憲治 ,  小林 典之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001010932
公開番号（公開出願番号）：WO2002-050885
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月27日
要約：

エッチングガスとして、C≧4、C/F比が0.625以上の第1のフルオロカーボン系ガスと、F≧4、C/F比が0.5以下の第2のフルオロカーボン系ガスと、Arガスと、O2ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いて、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜のエッチングを行う。これにより、アスペクト比の高いコンタクトホールを形成する場合においても、エッチングレートおよびレジストマスク選択比を向上させるとともに、コンタクトホールがボーイング形状となることを抑制することができる。

請求項（抜粋）：

エッチングガスとして、C≧4、C/F比が0.625以上の第1のフルオロカーボン系ガスと、F≧4、C/F比が0.5以下の第2のフルオロカーボン系ガスと、Arガスと、O2ガスとを少なくとも含む混合ガスを用いることを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/302 301N ,  H01L21/90 C