特許

J-GLOBAL ID：200903037770546830

露光方法

発明者： 松田 孝司 ,  岩本 文男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279828
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045160
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】ウエハ周縁近傍領域において、一部露光領域からはみでるチップ部分に絶縁膜や金属膜が形成されると、製造工程中に膜剥がれや飛散が生じ、ウエハの汚染や装置の汚染を引き起こすこととなる。【解決手段】絶縁膜が形成された基板上にポジ型のレジスト膜を形成し、レジスト膜を複数のショットに分けて露光を行う。そして、露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。この露光時において、ショットが基板の周辺領域にかかるときは、遮光帯で露光時の光を遮光することにより周辺領域を露光しないようにして、基板の周辺領域にレジストでマスクを形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にポジ型のレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を複数のショットに分けて露光する工程と、 前記露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備え、 前記露光する工程において、前記ショットが前記基板の周辺領域にかかるときは、遮光帯で遮光することにより前記周辺領域を露光しないことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (3件)：

H01L21/30 514C ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 515D

Fターム (4件)：

5F046AA20 ,  5F046BA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 銅配線の形成方法および銅配線の形成された半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248635   出願人：日本電気株式会社