特許

J-GLOBAL ID：200903037774102384

パターン形成方法

発明者： 斉藤 雅夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151478
公開番号（公開出願番号）：特開平6-337522
出願日： 1993年05月29日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 下地材料層が塗布型シリコン酸化膜のような物質の場合も、その上層の化学増幅型レジストを良好にパターニングできるパターン形成方法を提供する。【構成】 化学増幅型レジストを用いたパターン形成方法において、塗布型シリコン酸化膜(SOG)等の下地材料層の表面をアルカリ溶液(TMAH)等で処理した後、化学増幅型レジストを下地材料層上に形成するパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストを用いたパターン形成方法において、下地材料層の表面をアルカリ溶液で処理した後、化学増幅型レジストを下地材料層上に形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 361 A ,  H01L 21/30 361 S