特許

J-GLOBAL ID：200903037774924147

電界放出電子エミッタ及びその形成方法

発明者： ロバート・シー・ケイン ,  ジェイムズ・イー・ジャスキー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205616
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 低作動電圧、すぐれた表面安定性、及びイオン衝突損傷を受けにくい等の望ましい動作特性を備えた電界放出電子エミッタを提供する。【構成】 選択的に形成された基板(401)の表面に炭素イオン(404)を注入するステップを含む方法により、導電性/半導電性物質層(407)の表面に形成されたダイヤモンド物質(406)のコーティングを用いた電界放出電子エミッタが構成される。ダイヤモンド(406)上に導電層(407)が形成され、基板(401)が除去されることによりダイヤモンドコーティングを有する電子エミッタが得られる。

請求項（抜粋）：

主表面を有し、選択的に形成された基板(401)を提供するステップと、核形成位置(404)としてのイオンを、選択的に形成された基板(401)の主表面の少なくとも一部上に注入するステップと、核形成位置(404)の少なくとも一部に優先的にダイヤモンドクリスタライト(406)を成長させるステップと、基板(401)の主表面の少なくとも一部上及びダイヤモンドクリスタライト(406)上に導電性/半導電性物質層(407)を堆積するステップと、選択的に形成された基板(401)の少なくとも一部を除去し、これによって導電性/半導電性層(407)の少なくとも一部上に形成されたダイヤモンド(406)のコーティングを有する電子エミッタを形成するステップと、を含むことを特徴とする電子エミッタの形成方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30