特許
J-GLOBAL ID：200903037775682147
ASICの設計方法及びプリミティブレイアウト
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191061
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024061
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明の課題は、処理工程を単純化し、確実にウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させ、生産性を向上させると共に、不必要なデータ層を減らすことによりコストを低減せしめるプリミティブレイアウト、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法、及びウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】 プリミティブレイアウト内に、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー層を形成させると共に、係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅を所定の幅に形成する。
請求項（抜粋）：
プリミティブセルの自動配置を行う自動配置工程と、各プリミティブセルの回路機能を満たすようにプリミティブセル内に形成されたトランジスタ及び配線のレイアウトであり、トランジスタの拡散層と対向し、且つ近接するプリミティブセルの周縁部とで設定される領域内にダミー層が形成されると共に、係るダミー層に近接しているプリミティブセルの周縁部の延長方向のダミー層の幅が所定の幅に形成されてなるプリミティブレイアウトと、前記自動配置工程によって得られるプリミティブセルの配置情報とのデータを用いて、チップレイアウトを作成するチップレイアウト作成工程と、プリミティブレイアウトに含まれるダミー層を抽出し、発生予定層を形成させる発生予定層抽出工程と、発生予定層に前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件を与えるウェルコンタクト及びサブコンタクト発生予定領域工程と、前記ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生条件から、ウェルコンタクト及びサブコンタクト発生の可否を判定し、可能と判定された発生予定層をウェルコンタクト層及びサブコンタクト層とするウェルコンタクト及びサブコンタクト発生工程と、ウェルコンタクト層及びサブコンタクト層の所定の位置にコンタクト孔を形成させ、ウェルコンタクト及びサブコンタクトを発生させるコンタクト孔形成工程とからなることを特徴とするウェルコンタクト及びサブコンタクト発生手法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/82 C
, G06F 15/60 658 J
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5F064BB35
, 5F064CC12
, 5F064DD02
, 5F064DD12
, 5F064DD14
, 5F064EE02
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE52
, 5F064HH06
, 5F064HH11
, 5F064HH12
