薄膜デバイス基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252356
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066858
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】最終基板上に特性の良好な薄膜デバイスを形成可能で、かつ最終基板や薄膜デバイス層に対して損傷を与えることなく、短時間で最終基板の裏面側から支持基板を除去することが可能な薄膜デバイス基板の製造方法を提供する。【解決手段】接着剤層102を介して支持基板101と最終基板103とを貼り合わせた後、最終基板103上に薄膜デバイス層Aを形成する。薄膜デバイス層Aを保護膜104で覆い、保護膜104および接着剤層102に対して選択的に支持基板101をエッチング除去する。その後、保護膜104および接着剤層102を除去する。

請求項（抜粋）：

最終基板上に薄膜デバイス層を設けてなる薄膜デバイス基板の製造方法であって、前記最終基板に対して支持基板を貼り合わせる工程と、前記支持基板が貼り合わせられた前記最終基板上に薄膜デバイス層を形成する工程と、エッチングおよび研磨の少なくとも一方を含む処理によって前記支持基板を除去する工程とを行うことを特徴とする薄膜デバイス基板の製造方法。

IPC (5件)：

G09F 9/00 338 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , G09F 9/30 338 , H05B 33/14

FI (5件)：

G09F 9/00 338 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , G09F 9/30 338 , H05B 33/14 A

Fターム (51件)：

2H088FA18 , 2H088FA29 , 2H088HA01 , 2H088HA04 , 2H088HA06 , 2H088MA20 , 2H090HA01 , 2H090HB02X , 2H090HD01 , 2H090JA07 , 2H090JB02 , 2H090JB03 , 2H090JB04 , 2H090JC06 , 2H090JD13 , 3K007AB18 , 3K007CA00 , 3K007CA01 , 3K007CA02 , 3K007CA04 , 3K007CA05 , 3K007CB01 , 3K007DA00 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 5C094AA15 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA12 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094FA02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5G435AA17 , 5G435AA18 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435HH00 , 5G435HH18 , 5G435KK05

前のページに戻る