特許
J-GLOBAL ID：200903037787826071
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122821
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】本発明は、p型基板を用いて構成されるInGaAlP系の半導体レーザおよびその製造方法において、特性および信頼性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、p-GaAs基板11上に形成された、p-InGaAlPクラッド層14、InGaP活性層15、n-InGaAlPクラッド層16,17,18からなるダブルヘテロ構造部を有してなる半導体レーザにおいて、GaAlAs系結晶層に遷移金属元素などをドーピングし、高抵抗のGaAlAs電流ブロック層19を形成する。これにより、p型基板を用いる半導体レーザにおいても、n型の電流ブロック層の場合と同等の電流狭窄効果を得ることができる構成となっている。
請求項（抜粋）：
p導電型の化合物半導体基板と、この基板上に順に形成された、p導電型のInGaAlPクラッド層、活性層、n導電型のInGaAlPクラッド層からなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の上に、高抵抗な化合物半導体からなる絶縁層により形成されて、その構造部に流れる電流をストライプ状に狭窄する電流ブロック層とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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