特許
J-GLOBAL ID：200903037793535224
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328676
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183292
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドが生じることのない優れた膜質のものを簡便に形成する。【構成】 シリコンウェファ11の表面に絶縁膜15を形成するに先立って、その下地表面にシロキサンオリゴマー又はその溶液をあらかじめ塗布し、しかるのちに上記絶縁膜15を、有機けい素化合物とオゾンとを原料として用いる化学気相成長により形成する。このように下地表面にシロキサンオリゴマーを塗布することによって、埋め込み性が良く、ボイドがなく、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜を形成するにあたり、絶縁膜を形成しようとする下地表面にシロキサンオリゴマー又はその溶液をあらかじめ塗布し、しかるのちに上記絶縁膜を、有機けい素化合物とオゾンとを原料として用いる化学気相成長により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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