特許
J-GLOBAL ID：200903037793907520
半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245332
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】互いに異なる雰囲気条件の処理室間の雰囲気条件を保持したままで、各室の処理雰囲気に基板を暴露して処理を行い、高いスループットで半導体装置を製造可能な半導体製造装置の提供と、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】不活性ガス雰囲気のバッファー室2で基板の保持搬送手段24〜30に固定した該基板34〜40を、少なくともその表面の一部のみを、複数の処理室4、5、6の開口手段24、25、26を介して該処理室内の雰囲気に暴露して半導体装置の機能を処理して付加し、再度、別の該処理室の開口手段を介して該処理室内の雰囲気に暴露して半導体装置の機能を処理して付加する工程を反復する半導体装置の製造方法と半導体製造装置等からなる。
請求項（抜粋）：
基板の保持搬送手段を有するバッファー室を介して、それぞれ異なる雰囲気の複数の処理室を連結一体化した半導体製造装置において、該保持搬送手段の表面の少なくとも一部、または、該基板の表面の少なくとも一部に近接することにより、複数のコンダクタンスと所定ガスの供給空間および排気空間とを形成して、該処理室内の雰囲気を保持する構造の開口手段と、該開口手段を介して、該基板の少なくとも一部のみを該処理室の雰囲気に暴露する構造の該バッファー室内の該保持搬送手段と、該バッファー室を不活性ガス雰囲気に保持する雰囲気制御手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, H01L 21/02
, H01L 21/027
, H01L 21/304 341
