特許

J-GLOBAL ID：200903037799153846

ペ-スト式ニッケル電極の製造方法

発明者： 宮本 佳和 ,  津幡 英樹
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 康昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012397
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202952
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 利用率の優れたペースト式ニッケル電極を提供する。【解決手段】 水酸化ニッケル及びコバルト導電助剤を含有するペーストを導電性基材に充填し、乾燥後圧縮成形してなるペースト式ニッケル電極の製造方法であって、上記ペースト中にポリN-ビニルアセトアミドを含有させるとともに、上記圧縮成形した後、電極をアルカリ溶液中に浸漬処理し、さらに酸素濃度16〜30vol%の雰囲気下で加熱乾燥処理する。

請求項（抜粋）：

水酸化ニッケル及びコバルト導電助剤を含有するペ-ストを導電性基材に充填し、乾燥後、圧縮成形してなるペ-スト式ニッケル電極の製造方法であって、上記ペ-スト中にポリN-ビニルアセトアミドを含有するとともに、上記圧縮成形した後、電極をアルカリ溶液中に浸漬処理し、さらに酸素濃度16〜30vol%の雰囲気下で加熱乾燥処理することを特徴とするペ-スト式ニッケル電極の製造方法。

IPC (2件)：

H01M 4/32 ,  H01M 4/62

FI (2件)：

H01M 4/32 ,  H01M 4/62 C

Fターム (9件)：

5H050AA08 ,  5H050BA13 ,  5H050BA14 ,  5H050CA03 ,  5H050EA23 ,  5H050GA02 ,  5H050GA13 ,  5H050HA00 ,  5H050HA07