特許

J-GLOBAL ID：200903037800355679

ドライエッチング処理方法及びドライエッチング装置

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293596
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144655
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 高選択比と高精度微細加工とを両立させることができ、かつスループットに悪影響を及ぼすことがなく、しかもエッチングの進行の不均一性にも影響を受けないドライエッチング処理を可能にする、ドライエッチング装置の提供が望まれている。【解決手段】 真空チャンバー11と、真空チャンバー11内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、試料Wを保持するとともにその温度調整をなすウエハステージ1と、ウエハステージ1を冷却する冷却手段とを備えたドライエッチング装置である。ウエハステージ1に、これに保持される試料Wの温度を検知する温度検知手段26が設けられ、温度検知手段26で検知された温度に基づく出力信号を受け、試料Wの温度を所定の温度勾配で変化させるよう冷却手段による冷却の度合いとヒータによる加熱の度合いとを調整する制御手段29が設けられている。

請求項（抜粋）：

試料に対して複数のステップからなるエッチング処理を同一の処理装置内で行うドライエッチング処理方法であって、前記ステップのうち一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理とを異なる温度で行うとともに、これらステップ間において、前記一のステップでの温度からこれに続くステップでの温度に漸次温度を変化させつつ、エッチング処理を行うことを特徴とするドライエッチング処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 R ,  H01L 21/90 C