特許
J-GLOBAL ID:200903037801420547
薄膜形成材料及びその製造方法並びに薄膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宇高 克己
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-181954
公開番号(公開出願番号):特開平6-024844
出願日: 1992年07月09日
公開日(公表日): 1994年02月01日
要約:
【要約】【目的】 耐久性に富む磁気記録媒体を提供することが出来る技術の提供にある。【構成】 ガラス状炭素と、平均粒径が約1μm以下の炭化珪素と、平均粒径が約1μm以下の炭化硼素とを含有する複合材料からなる薄膜形成材料であって、前記ガラス状炭素の含有割合が約40〜98wt%、前記炭化珪素の含有割合が約1〜60wt%、前記炭化硼素の含有割合が約0.3〜20wt%である薄膜形成材料。
請求項(抜粋):
ガラス状炭素と、平均粒径が約1μm以下の炭化珪素と、平均粒径が約1μm以下の炭化硼素とを含有する複合材料からなる薄膜形成材料であって、前記ガラス状炭素の含有割合が約40〜98wt%、前記炭化珪素の含有割合が約1〜60wt%、前記炭化硼素の含有割合が約0.3〜20wt%であることを特徴とする薄膜形成材料。
IPC (5件):
C04B 35/52
, C04B 35/56 101
, C23C 14/34
, G11B 5/72
, G11B 5/84
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