半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-188511
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036716
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】LDDの低濃度不純物領域とゲート電極が重なるMOSFETで、ゲート電極のエッチングの余裕度を向上し、LDDの低濃度不純物領域上のゲート酸化膜とチャネル上のゲート酸化膜の膜厚をかえ、各々最適に設定する。【構成】P型シリコン基板1の表面上に第1の絶縁膜2を有し、第1の絶縁膜2上の所定の領域に第1の導電膜3を有し、第1の導電膜3をはさむ左右のシリコン基板1に第1の不純物領域4a,4bを有し、第1の導電膜3を覆うように第2の絶縁膜5を有し、第2の絶縁膜5上で第1の導電膜3を覆い、第1の不純物領域4a,4b上に延在する第2の導電膜bを有し、第2の導電膜6をはさむ左右のシリコン基板1に第1の不純物領域4a,4bよりも不純物濃度が高い第2の不純物領域7a,7bを有する。

請求項（抜粋）：

一導電型シリコン基板の一主面上に第1の絶縁膜を有し、前記第1の絶縁膜上の所定の領域に第1の導電膜を有し、前記第1の導電膜をはさむ左右の前記シリコン基板に逆導電型の第1の不純物領域を有し、前記第1の導電膜を覆う第2の絶縁膜を有し、前記第2の絶縁膜上で前記第1の導電膜を覆い、前記第1の不純物領域上に延在する第2の導電膜を有し、前記第2の導電膜をはさむ左右の前記シリコン基板に前記第1の不純物領域よりも不純物濃度が高い逆導電型の第2の不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 G

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