特許
J-GLOBAL ID：200903037802805841
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214148
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055998
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】加熱保持が必要な気化経路をなくし、安定した成膜性能を有する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】処理ステップS1に示すように、処理室内に被成膜ウェハを搬入し、所定温度範囲に加熱する。例えば、一枚の被成膜ウェハが配置された支持台が加熱され被成膜ウェハが所定温度範囲に昇温される。次に、処理ステップS2に示すように、CVD処理室内において被成膜ウェハを所定回転数で回転させる。例えば、上記支持台が回転制御される機構を含み、所定回転数で被成膜ウェハを回転させる。次に、処理ステップS3に示すように、上記CVD成膜に必要な液化原料を噴霧状態にして上記回転した被成膜ウェハに供給する。噴霧状態にする方式は、好ましくはインクジェット方式を利用する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室内において被成膜ウェハを所定温度範囲に加熱する工程と、
前記処理室内において被成膜ウェハを所定回転数で回転させる工程と、
CVD成膜に必要な液化原料を噴霧状態にして前記回転した被成膜ウェハに供給する工程と、
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F045BB08
, 5F045DP03
, 5F045EB02
, 5F045EB19
, 5F045EF01
, 5F045EM10
