半導体ダイオード装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：川口義雄 , 一入章夫 , 小野誠 , 大崎勝真 , 坪倉道明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-550322
公開番号（公開出願番号）：特表2004-516656
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

多層半導体ダイオードは、活性層と第1の接触領域との間に配置される広いバンドギャップ材料の層を有し、活性層と追加の幅広いバンドギャップ層は、一方のドーパント型であり、第1の接触領域は、反対のドーパント型である。本発明の特定の実施形態は、p型材料の第1の接触領域(4)と、軽ドープp型活性層(2)と、追加p層(20)と、n型材料の第2の接触領域(6)とで形成されたスタックよりなる。ダイオードは、赤外線検出器又は負発光ソースとして使用することが可能である。

請求項（抜粋）：

半導体ダイオードであって、第1の接触領域と、活性層と、第2の接触領域と、を備え、前記第1の接触領域が前記活性層のドーパント型とは反対のドーパント型でドープされ、前記第2の接触領域が前記活性層のドーパント型と同じドーパント型でドープされ、前記第1の接触領域、前記活性層及び前記第2の接触領域は、前記活性層が前記第1の接触領域と前記第2の接触領域との間に配置されるようにスタックされて配置され、前記半導体ダイオード構造が、更に、前記活性層のドーパント型と同じドーパント型でドープされ、前記活性層よりも広いバンドギャップを有する追加層を備え、前記追加層は、前記活性層と前記第1の接触領域との間に配置される、半導体ダイオード。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (5件)：

5F049MA04 , 5F049MB01 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭56-125877
特開昭10-256594
特開昭60-074480

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